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          產品展示PRODUCTS

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          320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

          320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
          產品時間:2022-11-02
          訪問量:4632

          LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

          320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

          InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上,包括非制冷型(無TEC)和制冷型(TEC)型。產品應用穩定成熟的工藝,并已實現量產。該產品選用常規封裝,便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備;集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度,并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。

          產品型號

          InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。


          型號

          FPA-320×256-C

          FPA-320×256-K-TE1/TE2

          FPA-320×256-K-2.2-TE2

          材料

          InGaAs

          InGaAs

          InGaAs

          響應波段

          0.9um-1.7um

          0.9um-1.7um

          1.2um-2.2um

          圖像分辨率

          320×256

          320×256

          320×256

          像元尺寸

          30um

          30um

          30um

          靶面尺寸

          9.6mm×7.68mm

          9.6mm×7.68mm

          9.6mm×7.68mm

          封裝

          44-pin CLCC

          28-pin MDIP

          28-pin MDIP

          重量

          1.6g

          24.6g/25.6g

          24.6g

          有效像元率

          >99.5%

          >99%

          >97%

          暗電流

          <0.4pA

          ≤0.4pA

          ≤10pA

          量子效率

          70%

          70%

          70%

          填充率

          99%

          99%

          99%

          串擾

          1%

          1%

          /

          探測率

          ≥5×1012J

          ≥5×1012J (TE1)

          7.5×1012J(TE2)

          1012J

          響應非均勻性

          10%

          10%

          ≤40%

          非線性(最大偏差)

          ≤2%

          ≤2%

          ≤2%

          最大像素率

          10MHz

          10MHz

          10MHz

          增益

          High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

          High:13.3uV/e-

          Low:0.7 uV/e-

          High:13.3uV/e-

          Low:0.7 uV/e-

          滿阱容量

          High:170Ke- Low:3.5Me-

          High:170Ke- Low:3.5Me-

          High:170Ke- Low:3.5Me-

          TEC 制冷

          TE1/TE2

          TE1/TE2

          工作溫度

          -20℃—85℃

          -20℃—85℃

          -20℃—85℃

          儲存溫度

          -40℃—85℃

          -40℃—85℃

          -40℃—85℃

          功耗

          175mw

          175mw**

          175mw**





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